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QS6M3
Transistors
P-ch
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
± 10
Unit
μ A
Conditions
V GS = ± 12V, V DS = 0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
? 20
?
?
V
I D = ? 1mA, V GS = 0V
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
I DSS
V GS (th)
?
R DS (on)
Y fs ?
C iss
C oss
C rss
?
? 0.7
?
?
?
1.0
?
?
?
?
?
155
170
310
?
270
40
35
? 1
? 2.0
215
235
430
?
?
?
?
μ A
V
m ?
S
pF
pF
pF
V DS = ? 20V, V GS = 0V
V DS = ? 10V, I D = 1mA
I D = ? 1.5A, V GS = ? 4.5V
I D = ? 1.5A, V GS = ? 4.0V
I D = ? 0.75A, V GS = ? 2.5V
I D = ? 0.75A, V DS = ? 10V
V DS = ? 10V
V GS = 0V
f = 1MHz
Turn-on delay time
t d (on) ?
?
10
?
ns
I D = ? 0.75A, V DD
? 15V
Rise time
t r
?
?
12
?
ns
V GS = ? 4.5V
Turn-off delay time
t d (off) ?
?
45
?
ns
R L = 20 ?
Fall time
t f
?
?
20
?
ns
R G = 10 ?
Total gate charge
Q g ?
?
3.0
?
nC
V DD
? 15V
R L = 10 ?
Gate-source charge
Gate-drain charge
Q gs ?
Q gd ?
?
?
0.8
0.85
?
?
nC
nC
V GS = ? 4.5V
I D = ? 1.5A
R G = 10 ?
? Pulsed
Body diode characteristics (Source-Drain) (Ta=25 ° C)
Parameter
Forward voltage
Symbol
V SD
Min.
?
Typ.
?
Max.
? 1.2
Unit
V
Conditions
I S = ? 0.75A, V GS = 0V
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